Share Email Print
cover

Proceedings Paper

Properties of InGaAsSb and AlGaAsSb surfaces under sulphide treatments studied using XPS and VASE techniques
Author(s): Ewa Papis; Anna B. Piotrowska; Krystyna Golaszewska; Radoslaw Lukasiewicz; Tadeusz Tomasz Piotrowski; Eliana Kaminska; Renata Kruszka; Andrzej T. Kudla; Jaroslaw Rutkowski; Jacek Szade; Antoni Winiarski; Andrzej Wawro
Format Member Price Non-Member Price
PDF $14.40 $18.00

Paper Details

Date Published:
PDF
Proc. SPIE 5957, Infrared Photoelectronics, 59571G; doi: 10.1117/12.622856
Show Author Affiliations
Ewa Papis, Instytut Technologii Elektronowej (Poland)
Anna B. Piotrowska, Instytut Technologii Elektronowej (Poland)
Krystyna Golaszewska, Instytut Technologii Elektronowej (Poland)
Radoslaw Lukasiewicz, Instytut Technologii Elektronowej (Poland)
Tadeusz Tomasz Piotrowski, Instytut Technologii Elektronowej (Poland)
Eliana Kaminska, Instytut Technologii Elektronowej (Poland)
Renata Kruszka, Instytut Technologii Elektronowej (Poland)
Andrzej T. Kudla, Instytut Technologii Elektronowej (Poland)
Jaroslaw Rutkowski, Military Univ. of Technology (Poland)
Jacek Szade, Univ. of Silesia (Poland)
Antoni Winiarski, Univ. of Silesia (Poland)
Andrzej Wawro, Institute of Physics (Poland)


Published in SPIE Proceedings Vol. 5957:
Infrared Photoelectronics
Antoni Rogalski; Eustace L. Dereniak; Fiodor F. Sizov, Editor(s)

© SPIE. Terms of Use
Back to Top