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Proceedings Paper

Selective area sublimation of GaN for top-down fabrication of nanostructures (Conference Presentation)
Author(s): Benjamin Damilano; Stéphane Vézian; Sébastien Chenot; Marc Portail; Blandine Alloing; Julien Brault; Aimeric Courville; Virginie Brändli; Mathieu Leroux; Jean Massies
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Paper Abstract

A fraction of a SiNx mono-layer is formed on a GaN layer by exposing the surface to a Si flux. When the sample is heated under vacuum at high temperature (900°C), we observe the sublimation of GaN in the regions uncovered by the thermally resistant SiNx mask. This selective area sublimation (SAS) process can be used for the formation of nanopyramids and nanowires with a diameter down to 4 nm. Also, if InGaN quantum wells are included in the structures before sublimation, InGaN quantum disks with quasi identical sizes in the 3 dimensions of space can be formed using SAS.

Paper Details

Date Published: 14 March 2018
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Proc. SPIE 10532, Gallium Nitride Materials and Devices XIII, 105320F (14 March 2018); doi: 10.1117/12.2291935
Show Author Affiliations
Benjamin Damilano, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Stéphane Vézian, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Ctr. National de la Recherche Scientifique (France)
Sébastien Chenot, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Marc Portail, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Ctr. National de la Recherche Scientifique (France)
Blandine Alloing, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Ctr. National de la Recherche Scientifique (France)
Julien Brault, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Ctr. National de la Recherche Scientifique (French Polynesia)
Aimeric Courville, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Ctr. National de la Recherche Scientifique (France)
Virginie Brändli, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Ctr. National de la Recherche Scientifique (France)
Mathieu Leroux, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Ctr. National de la Recherche Scientifique (France)
Jean Massies, Ctr. de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (France)
Ctr. National de la Recherche Scientifique (France)


Published in SPIE Proceedings Vol. 10532:
Gallium Nitride Materials and Devices XIII
Jen-Inn Chyi; Hiroshi Fujioka; Hadis Morkoç, Editor(s)

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